Qualcomm анонсировала 10-нанометровый процессор Snapdragon 835

Другие новости
На CES 2017 американская Qualcomm анонсировала новый флагманский процессор Snapdragon 835. Чип произведен по 10-нанометровому техпроцессу и на 25% энергоэффективнее Snapdragon 820.

Лучшего энергосбережения добились за счет уменьшения техпроцесса: 10 нанометров против 14 нанометров в прошлогодних Snapdragon 820 и 821. При прочих равных, смартфоны на новом флагманском чипе будут работать на 2,5 часа дольше, чем на Snapsragon 820. Также Snapdragon 835 на 35% меньше предшественника, поэтому можно делать телефоны еще тоньше или с увеличенными батареями.

Snapdragon 820 слева, 835 – справа

Qualcomm Snapdragon 835 получил на 25% более производительную графику, поддерживает запись видео в 4K с 30 fps и воспроизведение с 60 fps. Поддерживаются платформа Google Daydream и двойные камеры по 16 мегапикселей каждая.

Быстрая зарядка теперь будет осуществляться по стандарту Quick Charge 4.0, который на 20% быстрее Quick Charge 3.0. Всего лишь пяти минут на зарядке хватит, чтобы смартфон проработал пять часов.

Qualcomm Snapdragon 835 получил модем X16. Он работает с сетями LTE Cat. 16 (1 Гбит/c) на скачивание и Cat. 13 (150 Мбит/с) на загрузку. Также процессор – первый в мире с поддержкой Bluetooth 5.


Первые устройства на базе Snapdragon 835 появятся в начале февраля, когда в рамках MWC 2017 большинство крупных компаний представят новые флагманы.

Источник: Qualcomm

Похожие статьи

0 комментариев
Вы можете оставить свой комментарий, но для этого войдите, кликнув на иконку удобной Вам социальной сети
Быстрый вход без регистрации